[发明专利]在硅基底中形成绝缘膜的方法

摘要

使用浅槽隔离法在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括：依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；将上述沉积的膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于电场区；蚀刻基底露出的部份以形成一沟槽；在基底上沉积HDP氧化物膜，沉积的厚度与前述沉积的多层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；于HDP氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区与作用区的一部份，并且从作用区的边缘向内延伸预定距离；使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份；去除反掩模；对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行CMP；和去除焊接点氮化物膜。由于没有使用氧化物蚀刻剂来去除焊接点氮化物膜，基本上可抑制沟槽的形成。

主权项

1.一种在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括下列步骤：依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；将所述多晶硅膜、焊接点氮化物膜与焊接点氧化物膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于基底的电场区；蚀刻基底露出的部份以形成浅沟；在得到的基底上沉积HDP氧化物膜，所沉积的厚度与所述沉积的各层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；在HDP氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区和与电场区相邻的作用区的一部份，并且从作用区边缘向内延伸预定距离；使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份；去除反掩模；对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行化学机械抛光；以及去除焊接点氮化物膜。