[发明专利]光刻装置及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 03133021.5 申请日: 2003-06-05
公开(公告)号: CN1479174A 公开(公告)日: 2004-03-03
发明(设计)人: H·H·M·科克斯;R·N·J·范巴勒戈伊;P·M·H·沃斯特斯;S·A·J·霍尔;S·M·J·科尔内利森 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027;H01L21/68
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 章社杲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种光刻投射装置,其中在平衡质量BM与基底台WT之间产生反作用力。平衡质量BM弹性连接到底座BF上,并且平衡质量具有的弹簧本征频率在0.3至10Hz之间。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻投射装置,包括:辐射系统,用于产生辐射的投射束;承载结构,用于支撑构图装置,该构图装置用于根据所需图案对所述投射束构图;基底台,用于保持一基底;投射系统,用于将所述带图案的投射束投射到所述基底的靶部上;底座;平衡质量;和定位执行机构,连接在所述基底台或所述承载结构与所述平衡质量之间,用于在所述平衡质量与所述基底台或所述承载结构之间产生反作用力,从而将所述基底台或所述承载结构相对于所述投射系统进行定位,其特征在于:所述平衡质量借助于一弹性耦合器耦合在所述底座上,并且所述平衡质量的弹簧本征频率为0.3至10Hz,以使所述反作用力中只有一部分施加到所述底座上。
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