[发明专利]光刻装置、对准方法和器件制造方法有效
| 申请号： | 03130765.5 | 申请日： | 2003-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1450412A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | K·贝斯特;A·弗里茨;J·康索利尼;H·W·M·范比尔;桂成群 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G02B13/22;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了在具有大的Z间隔的层之间进行对准，例如在MEMS或MOEMS制造过程中，使用可以利用垂直入射的辐射照射参考标记的对准系统。该对准系统具有照射系统，它在基底侧上是远心的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 对准 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；用于检测参考标记和所述基底上设置的对准标记之间的对准的对准系统，所述对准系统包括用于用对准光束照射所述对准标记的光学系统，其特征在于：所述光学系统用于引导所述对准光束，从而使其基本垂直于所述对准标记上的所述基底。
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