[发明专利]离子注入复合镀膜设备有效
| 申请号： | 03129551.7 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1472360A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡珣;童洪辉;陈庆川;蒲世豪;赵军;陈秋龙;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室，并固定在复合镀膜机的外壳上，气体离子源垂直位于真空室上部的正中，金属离子源位于气体离子源的一侧，斜插于真空室上部，直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上，并位于真空室两侧偏上部位，六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上，真空抽气系统与真空室连接。本发明集几种材料表面改性技术于一体，一机多用，既降低了设备制造成本，又具有多功能效果，设备设计新颖，结构合理紧凑。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 复合 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
1、一种离子注入复合镀膜设备，包括：气体离子源(1)、真空室(7)、多用样品台(8)和真空抽气系统(9)，其特征在于，还包括：金属离子源(2)、两个直流磁过滤电弧离子镀源(3)和(4)、直流磁控溅射靶源(5)、中频脉冲磁控溅射靶源(6)，其连接方式为：气体离子源(1)、金属离子源(2)、直流磁控溅射靶源(5)、中频脉冲磁控溅射靶源(6)和两套直流磁过滤电弧离子镀源(3)、(4)六个源头共用一个真空室(7)，并固定在复合镀膜机的外壳上，气体离子源(1)垂直位于真空室(7)上部的正中，金属离子源(2)位于气体离子源(1)的一侧，斜插于真空室(7)上部，直流磁控溅射靶源(5)和中频磁控溅射靶源(6)、两个直流磁过滤电弧离子镀源(3)和(4)则分布在两条对角线上，并位于真空室(7)两侧偏上部位，六个源头的中心线汇聚在多用样品台(8)工件上，真空抽气系统(9)与真空室(7)连接。
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