[发明专利]光刻装置和器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 03125544.2 申请日: 2003-09-11
公开(公告)号: CN1495527A 公开(公告)日: 2004-05-12
发明(设计)人: F·J·H·M·托尼森;A·J·范德内特;W·洛克 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027;H01L21/68;B08B5/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 黄力行
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 在用于光刻装置的吹扫气系统中,只要杂质水平降低到阀值以下,就充分地降低系统的吹扫气流率。这种控制可以根据探测到的杂质水平或时间表来进行。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻投射装置,包括:-用于提供辐射投射束的辐射系统;-用于支撑构图部件的支撑结构,该构图部件用来根据所需图案对投射束构图;-用于保持基底的基底台;-用于将带图案的投射束投射到基底靶部上的投射系统;-围绕一部分投射束的路径的间隔部分;以及-利用吹扫气净化所述间隔部分的净化装置;其特征在于:所述净化装置包括在吹扫气到所述间隔部分的输入端中的可控制流量限制器和控制装置,该控制装置在所述间隔部分中的杂质低于阈值时控制流量限制器限制吹扫气的流量。
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