[发明专利]在图案化材料上形成高分子层的方法有效
| 申请号： | 03122983.2 | 申请日： | 2003-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1467798A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈中泰;梁明中;蔡信谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一保护层沉积在一基底的表面上，其是由等离子体增强型化学气相沉积制造工艺而形成，然后在保护层上沉积一高分子层。此基底放置在一反应室内的垫块上，接着在至少一等离子体源影响下，氟碳气体导入反应室中，此氟碳气体可以是CFx气体，此至少一等离子体源包括通过使用无线电频率等离子体能量离子化氟碳气体的第一等离子体源，以及在沉积保护层时的无线电频率及沉积高分子层时较大的偏压，使用一几近于零的自偏压至基底的第二等离子体源。沉积高分子之前先沉积保护层以保护基底表面，避免沉积高分子层时损坏基底。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 材料 形成 高分子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在图案化材料上形成高分子层的方法，包括下列步骤：a)提供一基底；b)进行一等离子体增强型化学气相沉积法，以于该基底上形成一保护层；以及c)使用一同步程序在该保护层上形成一高分子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03122983.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
