[发明专利]防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程

摘要

一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程，是于先进行一离子布植制程，于一深渠沟顶部开口周围的半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区，再去除深渠沟电容器以外的氮化硅层，而后再于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。该离子布植制程是利用N₂作为离子源，用来抑制该第一氧化层的成长，且该离子布植区的深度是相对应于一预定埋入带扩散区域的深度，是至少环绕该深渠沟顶部开口的一部分外围，且邻近于一预定埋入带扩散区域。

主权项

1.一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体硅基底，其包含有一深渠沟以及一深渠沟电容器，其中该深渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点，该节点介电层是形成于该深渠沟的侧壁与底部，该储存节点是填入该深渠沟至一预定深度；进行一离子布植制程，于该深渠沟顶部开口周围的该半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区；去除部分的该节点介电层，以使该节点介电层与该储存节点的顶部切齐，并暴露该深渠沟电容器以外的该深渠沟侧壁；进行一氧化制程，于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。