[发明专利]通过光学测量判断残留膜的方法无效
| 申请号： | 03121185.2 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1447112A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 窪田壮男;重田厚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;G01N21/59;G01N21/45 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过光学测量判断样品上残留膜的方法，样品包括一个第一金属膜和一个绝缘膜，上述第一金属膜的反射度的变化取决于测量光波长，而上述绝缘膜在第一金属膜上方形成，残留膜是绝缘膜上方的第二金属膜，该方法包括：用测量光照射样品，以便测量从样品反射的光强度随测量光波长变化而改变的情况，因而得到一个反射度光谱曲线；及将反射度光谱曲线分成数个波长区，以便根据反射度光谱曲线的每个光谱区中的波形，判断在绝缘膜上方是否存在第二金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 光学 测量 判断 残留 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过光学测量判断样品上残留膜的方法，上述样品包括一个第一金属膜和一个绝缘膜，上述第一金属膜的反射度的变化取决于测量光波长，而上述绝缘膜在第一金属膜上方形成，及残留膜是绝缘膜上方的第二金属膜，该方法包括：用一测量光照射样品，以便测量从样品反射的光的强度变化，该光强度的变化取决于测量光的波长，因而得到一个反射度光谱曲线；及将反射度光谱曲线分成数个波长区，以便根据反射度光谱曲线每个波长区中的波形判断在绝缘膜上方是否存在第二金属膜。
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