[发明专利]非易失多层存储器装置无效
| 申请号： | 03120559.3 | 申请日： | 2003-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1450561A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | S·M·布兰登伯格;K·K·史密斯;K·J·埃尔德雷奇;A·L·范布洛克林;P·J·弗里克 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 只读存储装置(100)具有多层(102，104)，其中第一层(102)形成在半导体衬底(516)上面，而其他一层或多层(104)形成在第一层(102)上面。每一层具有多个非易失存储单元(118)，它们包括连接在导电迹线(112，114)之间的存储元件(116)。存储元件(116)在电位加到被选中的存储单元(118)时显示一定的电阻值。可以由电阻器(204)、与控制元件(308)串联的电阻器(306)或与二极管(408)串联的反熔丝器件(406)来构成存储元件(116)。可以在生产之后对具有包括反熔丝器件的存储元件(404)的存储装置(400)进行编程，其中，反熔丝器件(406)在生产存储装置的时候显示对应于逻辑1的高电阻值，而在反熔丝结(406)被贯穿形成电连接时显示对应于逻辑0的低电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 多层 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储器装置(100)，它包括：具有非易失存储单元(118)的多个层(102，104)，单个层104包括：导电迹线(112，114)；以及存储元件(116)，它配置成当电压加到被选中的非易失存储单元(118)时显示一定的电阻值，其中，单个非易失存储单元(118)包括连接在所述单个层104的第一导电迹线(112)和所述单个层(104)的第二导电迹线(114)之间的存储元件(116)。
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