[发明专利]磁阻效应膜与旋阀再生头有效
| 申请号： | 03119853.8 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1467704A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 野间賢二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 旋阀再生头具有磁道宽度小和稳定性高的特点。旋阀再生头包括：基层，包含磁感应部分的磁阻效应膜，在磁阻效应膜两侧形成的偏磁部分，端子部分，覆盖于所述组成部分之上的绝缘层，在绝缘层之上形成的顶层屏蔽层。磁阻效应膜按叠置次序包含固定磁层、无磁层、自由磁层。无磁导电层和蚀刻阻挡层依次堆叠在自由磁层之上，无磁导电层的电阻率比自由磁层的低，蚀刻阻挡层的溅射速率高于钽的、低于铜的。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 再生 | ||
【主权项】：
1.磁阻效应膜，包括按顺序堆叠的固定磁层、无磁层和自由磁层，其中无磁导电层和蚀刻阻挡层依次堆叠在所述自由磁层之上，无磁导电层的电阻率比所述自由磁层的低，蚀刻阻挡层的溅射速率高于钽的、低于铜的。
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