[发明专利]抑制了内部的磁噪声的薄膜磁性体存储器无效
| 申请号： | 03119802.3 | 申请日： | 2003-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1467742A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用在每条写字线(WWL)上配置的写驱动电路(WWD)，对选择行的写字线(WWL)供给数据写入电流(Iww)，对与选择行邻接的写字线(WWL)在与数据写入电流相反的方向上供给磁场消除电流(ΔIww)。在各写驱动电路(WWD)中，利用第1和第2驱动晶体管(101、102)这两者的接通来供给数据写入电流(Iww)，只利用第2驱动晶体管(102)的接通来供给磁场消除电流(ΔIww)。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 内部 噪声 薄膜 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：包括：存储器阵列，以行列状配置了各自具有在与存储数据对应的方向上被磁化的磁性体的多个磁性体存储单元；多条写入选择线，分别与存储单元行对应地设置；多条数据线，分别与存储单元列对应地设置，在选择列中流过与写入数据对应的方向的电流；以及多个写入驱动电路，分别与上述多条写入选择线对应地设置，用来根据行选择结果控制对上述多条写入选择线的选择性的电流供给，各上述写入驱动电路包含多个电流驱动部，与选择行对应的写入驱动电路使用作为上述多个电流驱动部的至少一部分的第1数目的电流驱动部，对对应的写入选择线供给数据写入电流，与上述选择行的邻接行对应的写入驱动电路使用上述第1数目的电流驱动部的一部分，在与对应于上述选择行的写入选择线中的上述数据写入电流相反的方向上对对应的写入选择线供给比上述数据写入电流小的磁场消除电流，在各上述写入选择线中，在同一方向上供给对应的存储单元行的选择时的上述数据写入电流和上述邻接行的选择时的上述磁场消除电流。
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