[发明专利]浅沟隔离的制造方法无效
| 申请号： | 03119179.7 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1531056A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;郭国权;姜兆声 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种浅沟隔离的制造方法。在氮化硅膜上沉积一特定厚度的不同吸收系数的SiON，包含以下步骤：(a)于硅基板上沉积垫氧化硅膜/氮化硅膜作蚀刻的硬罩；(b)于氮化硅膜上先沉积一层高吸收系数的氮氧化硅层，再沉积一层低吸收系数的氮氧化硅层作抗反射层；(c)以浅沟槽图案的光罩曝光及显影光阻以形成浅沟槽的蚀刻罩幕；(d)蚀刻氮氧化硅、氮化硅、垫氧化层及硅基底，形成浅沟槽：(e)在浅沟槽侧壁及底部成长氧化层以除去损伤，减少漏电；(f)在浅沟槽内及氮氧化硅上沉积氧化硅层以填满沟槽；(g)以化学机械研磨使之平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟隔离的制造方法，其特征是，至少包含下列步骤：(a)于硅基板上沉积垫氧化硅膜/氮化硅膜作蚀刻的硬罩；(b)于氮化硅膜上先沉积一层高吸收系数的氮氧化硅层，再沉积一层低吸收系数的氮氧化硅层作抗反射层；(c)以浅沟槽图案的光罩曝光及显影光阻以形成浅沟槽的蚀刻罩幕；(d)蚀刻氮氧化硅、氮化硅、垫氧化层及硅基底，形成浅沟槽；(e)在浅沟槽侧壁及底部成长氧化层以除去损伤，减少漏电；(f)在浅沟槽内及氮氧化硅上沉积氧化硅层以填满沟槽；(g)以化学机械研磨使之平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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