[发明专利]新型纳米多孔薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 03112669.3 | 申请日： | 2003-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1444292A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 戴松元;王孔嘉;曾隆月;张华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 合肥华信专利事务所 | 代理人： | 余成俊,过锡根 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公了一种新型纳米多孔薄膜及其制备方法，是一种二氧化钛TiO2、二氧化锡SnO2、三氧化钨WO3、氧化锌ZnO或氧化锆ZrO半导体材料薄膜，薄膜中有不规则孔。其制备方法，其特征在于包括以下步骤：1.制备半导体材料的纳米胶体溶液，2.加热，使胶体溶液变成有团聚颗粒沉淀的乳浊液，3.浓缩乳浊液，4.加入高分子表面活性剂并拌均成浆料，5.将浆料涂膜一次或多次，6.烧结。本发明通过制成多层膜，掺入大颗粒，光电转换效率提高10－30％。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 纳米 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、新型纳米多孔薄膜，其特征在于是一种二氧化钛TiO2、二氧化锡SnO2、三氧化钨WO3、氧化锌ZnO或氧化锆ZrO半导体材料薄膜，薄膜中有不规则孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
