[发明专利]低温共烧陶瓷中嵌入式密封腔的形成无效
| 申请号： | 03110747.8 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1452226A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | B·R·史密斯;R·T·派克;C·M·牛顿 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B32B31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成低温共烧陶瓷(LTCC)器件的方法，该方法包括在第一LTCC带层中形成通道。将蜡嵌入通道内。蜡的类型是在低于第一LTCC带层的烧结温度的温度下烧掉。至少有一层第二LTCC带层堆叠在第一带层之上以形成堆垛。这种堆垛经过充分压制使第一和第二层结合形成叠层结构。所得叠层结构在烧结温度烧制，以使第一和第二带层形成烧结陶瓷结构，使得全部或者基本上全部的蜡从通道中烧掉。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 陶瓷 嵌入式 密封 形成 | ||
【主权项】：
1.一种形成器件的方法，包括如下步骤：(a)在至少一个第一带层中形成通道；(b)在通道中嵌入可熔材料；(c)在第一带层上堆垛至少一个第二带层；(d)将第一和第二带层充分压制形成叠层结构；和，(e)将全部或者基本上全部的可熔材料从通道中去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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