[发明专利]图案形成方法无效
申请号: | 03109850.9 | 申请日: | 2003-04-11 |
公开(公告)号: | CN1452215A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 伊藤信一;高桥理一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/00;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥,于静 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明可以局部地修正感光性树脂图案的异常,除去重复加工基板,降低制造成本。是包含,在基板上形成被加工膜的步骤S11、在被加工膜的主面上形成抗蚀剂膜的步骤、在抗蚀剂膜上曝光所希望的图案的步骤、显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤S12、检查抗蚀剂图案的尺寸或者形状的异常的步骤S13、对由S13检测出的异常位置实施修正处理的步骤S14、用修正后的抗蚀剂图案选择蚀刻被加工膜的步骤S15的图案形成方法,在S13以及S14中使用把DUV光作为光源的相同的光学装置连续进行S13和S14,并且在S13中向抗蚀剂表面提供氮气,在S14中向抗蚀剂表面提供氧气。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案形成方法,其特征在于,具备:在被处理基板的主面上形成感光性树脂膜的工序;在上述感光性树脂膜上曝光所希望的图案的工序;显影上述感光性树脂膜形成感光性树脂图案的工序;检查上述感光性树脂图案的尺寸或者形状的异常的检测工序;对由上述检查工序检测出的异常位置实施修正处理的修正工序;上述修正工序,包含对上述感光性树脂图案的异常位置照射上述感光性树脂具有吸收性的波长的光,使该图案的形状改变的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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