[发明专利]晶圆表面离子取样系统及方法无效
| 申请号： | 03109378.7 | 申请日： | 2003-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1536636A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 温瑞惠 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆表面离子取样方法，此方法是先提供欲检测的晶圆，并将该晶圆置于取样室内，欲取样的晶圆表面朝上。然后持续喷洒萃取液于晶圆的表面，以形成水膜，并维持水膜的厚度使晶圆表面的离子污染物溶入萃取液中。然后收集取样室底部的萃取液。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 离子 取样 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面离子取样系统，其特征在于包括：一个取样室，具有一个上部与一个下部，该上部是容纳一个晶圆，该下部呈漏斗状，且具有一个萃取液收集口；一个晶圆载置机构，设置于该取样室内；一个萃取液喷洒机构，设置于该取样室顶部，喷洒一种萃取液至该晶圆的表面；以及一个萃取液供给装置，连接该萃取液喷洒机构，并供给该萃取液至该萃取液喷洒机构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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