[发明专利]电子发射元件,电子源以及图像显示装置的制造方法

摘要

本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10－4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10－9sec≤τ≤10sec)。

主权项

1.一种电子发射元件的制造方法，其特征在于：具有(A)提供基体的工序，该基体上配置一对电极和高分子膜，该高分子膜连接上述电极之间；(B)通过在上述高分子膜上照射能量束，从而把上述高分子膜进行低阻化的工序；(C)通过把上述高分子膜低阻化得到的膜上形成间隙的工序，在上述(B)工序中，当把每单位面积、每单位时间所提供的上述束的能量强度记为W[W/m2]时，W满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2；其中T：是在1×10-4Pa以上的真空中把高分子膜加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λSub：上述基体的热传导率[W/m·k]，τ：照射时间，且1×10-9sec≤τ≤10sec。