[发明专利]衬底处理装置和衬底处理方法无效
| 申请号： | 03106486.8 | 申请日： | 2003-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1434481A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 牛岛满 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84;G02F1/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用一边由移动机构从溶剂喷嘴排出冲淡剂，一边沿衬底的各边移动例如2个来回或3个来回，去除衬底的仅周边部的光刻胶膜，使在进行粘附处理时形成的HMDS气体的处理膜露出。其次，利用一边由光纤辐照紫外线，一边沿衬底的各边移动例如2个来回或3个来回，去除仅在衬底的周边部露出的处理膜。这样，因为不从衬底周边部上露出的处理膜产生胺系气体，所以能防止使曝光装置中的曝光透镜和反射镜及其他的机器类产生白色污浊。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的涂覆膜去除装置；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的处理膜去除装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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