[发明专利]低功耗化学气体传感器芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 03104786.6 | 申请日： | 2003-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1431493A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张大成;张威;孔祥霞;孙良颜;李婷;王颖;王玮;刘蓓;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N27/407 | 分类号： | G01N27/407;G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微硅桥的低功耗化学气体传感器芯片结构及其制备方法。低功耗化学气体传感器芯片，是一种桥式的硅微结构，是采用微电子微工艺加工微硅桥、加热电极和敏感电极，最终形成一个在硅框架上带有加热和敏感电极的微硅桥结构。其制造工艺流程如下：1.准备硅片；2.热氧化；3.氮化硅淀积；4.一次光刻；5.刻蚀氮化硅，腐蚀氧化硅，去胶；6.腐蚀硅，腐蚀氮化硅；7.二次光刻；8.溅射铬/铂，剥离；9.淀积氧化硅；10.三次光刻；11.刻蚀氧化硅，去胶；12.划片；13.腐蚀硅至穿通。本发明提供的化学气体传感器芯片及其加工方法，可以实现用微电子技术低成本大批量生产低功耗化学气体传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 化学 气体 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.低功耗化学气体传感器芯片，其特征在于是一种采用微电子微工艺加工微硅桥、加热电极和敏感电极，最终形成一个在硅框架上带有加热和敏感电极的桥式的硅微结构。
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