[发明专利]改善光阻平整度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法有效
| 申请号： | 03102647.8 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1521808A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈锰宏;吴心玲;吴鸿谟;李中元 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善光阻平坦度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法。在去除沟槽内部的上半部光阻(保护光阻)后，新增一道全面性重新填满另一光阻(回填光阻)的程序，以填满去除后的保护光阻上表面与基底上表面之间的距离，该距离是由于光阻与基底表面附着性不佳或是沟槽密度分布不均所引起，重新形成的回填光阻便可具有一平坦表面，接着，依据习知制程去除部分沟槽内的光阻，便可得到沟槽内的光阻上表面与基底上表面相距相同距离的改善效果。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 平整 方法 沟槽 电容 电极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种改善光阻平坦度的方法，包括：提供一基底，该基底中形成有复数个沟槽；形成一保护光阻于该基底表面，使该保护光阻填入该沟槽内；去除高出于该基底表面的该保护光阻，其中部分该沟槽内的该保护光阻的上表面低于该基底的上表面，以形成复数沟槽缺口；全面性形成一回填光阻，以填满该沟槽缺口，使该保护光阻与该回填光阻共同填满该沟槽，成为复数沟槽光阻；以及去除部分该沟槽光阻，使各该沟槽中的该沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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