[发明专利]周期极化掺镁铌酸锂全光开关及其制备工艺无效
| 申请号： | 03102423.8 | 申请日： | 2003-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1434326A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈云琳;楼慈波;刘晓娟;许京军;陈绍林;黄自恒 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;H04B10/12;H04J14/02 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 解松凡 |
| 地址： | 30007*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及光开关，特别是一种新颖的周期极化掺镁铌酸锂全光开关及其制备工艺，属于光通信器件技术领域。现在用于光信息处理技术中的光开关有机械式的和光学式的，但都适应不了高速光纤通信的需要。本发明提供了一种新颖的周期极化掺镁铌酸锂全光开关的设计及其制备工艺，方案是：使用高掺镁的铌酸性晶体，切成晶片，对晶片进行抛磨、极化、刻蚀，制作反转光栅区、质子退火交换光波导，得到全光开关。该开关具有快速全光透明、速度快、噪声低、所需控制光功率小，且可实现THz调制等特点的光开关。同时克服了本征铌酸锂晶体不易加工等缺点，进一步提高了输出变换效率，使其在全光通信网中具有更佳的性能和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 周期 极化 掺镁铌酸锂全光 开关 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种周期极化掺镁铌酸锂全光开关，其特征在于：开关是～20×25×1.0mm的晶片，高掺镁铌酸锂晶体材料，具有扇形变周期极化结构(4)、退火质子交换光波导(5)、强抗光折变能力和较低的正极化电场结构的全光开关。
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