[发明专利]像素结构及薄膜晶体管阵列有效
| 申请号： | 03100941.7 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1515945A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 洪孟逸 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素结构及薄膜晶体管阵列，由具有扫描配线的第一图案化导体层、第一介电层、数个信道层、包括信号配线与源极/漏极的第二图案化导体层、第二介电层以及数个像素电极所组成。其中，第一图案化导体层位于一基板上。第一介电层位于基板上并覆盖第一图案化导体层。信道层位于扫描配线上方的第一介电层上。第二图案化导体层位于第一介电层上，其源极/漏极位于扫描配线上的信道层两侧。第二介电层位于第一介电层上并覆盖住第二图案化导体层上。像素电极置于第二介电层上，其中像素电极与源极/漏极的一端电性连接，而源极/漏极的另一端与信号配线电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列，适于配置于一基板上，该薄膜晶体管阵列包括：第一图案化导体层，配置于该基板上，该第一图案化导体层包括多个扫描配线；第一介电层，配置于该基板上并覆盖住该第一图案化导体层；多个信道层，配置于该第一介电层上，且这些信道层位于这些扫描配线上方；第二图案化导体层，配置于该第一介电层上，该第二图案化导体层包括多个信号配线与多个源极/漏极，其中这些源极/漏极配置于这些扫描配线上方，且这些源极/漏极位于该信道层两侧；第二介电层，配置于该第二导体层上；以及多个像素电极，配置于该第二介电层上，其中这些像素电极与这些源极/漏极的一端电性连接，而这些源极/漏极的另一端与这些信号配线电性连接。
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