[发明专利]用于与发射率无关的热处理的背面加热腔室无效
| 申请号： | 02829943.4 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1695228A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·V·萨莫依洛夫;D·R·杜波依斯;L·A·斯卡德;P·B·科米塔;L·D·华盛顿;D·K·卡尔森;R·N·安德森 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H05B3/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种设备，其包括：一反射镜，该反射镜具有面向下的镜面表面；一位于该反射镜下面的玻璃结构，在该玻璃结构内有一基座，该基座具有面向上的表面，其能够夹持要被处理的部件，且一个或多个辐射热源指向并位于玻璃结构的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 无关 热处理 背面 加热 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：一反射镜，其具有一面向下的镜面表面；一玻璃结构，其位于所述反射镜之下；一基座，其处于所述玻璃结构之内，具有一面向上的表面，能够夹持要被处理的部件；和一个或多个辐射热源，其指向所述玻璃结构并位于所述玻璃结构之下。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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