[发明专利]磁阻位结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02820834.X | 申请日： | 2002-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1572001A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 哈里·刘;威廉·拉森;隆妮·贝里;西奥多·朱;李绍平;罗姆尼·R·卡蒂;李咏;安东尼·阿罗特 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;H01L31/119 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种使用传统触点和/或通路工艺步骤产生的磁性位结构。优选这是通过提供具有足够大位末端以容纳尺寸最小化接触孔或通路孔的磁性位结构来实现的。由此，接触孔或通路孔可以保持在位边缘的内部，从而保护位边缘在能够导致位结构氧化或损伤的随后处理步骤中不被损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻位，包括：在磁阻位的一端处的第一位末端；接触第一位末端的第一接触结构；以及所述第一位末端形成尺寸以围绕第一接触结构延伸。
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