[发明专利]等离子体灰化后晶片的改进清洁剂无效
| 申请号： | 02818145.X | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1555409A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·玛·塞约;托马斯·J·克洛芬斯戴恩;达尼埃尔·N·法恩 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D3/30 | 分类号： | C11D3/30;B08B3/08;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平;王维玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于等离子体灰化后半导体制造的半导体晶片清洁剂，所述制剂包括至少一种有机螯合剂和至少一种极性溶剂，其中螯合剂和极性溶剂的量足以从半导体晶片上有效地除去无机化合物残余物。优选地，螯合剂选自2，4－戊二酮、丙二酸、草酸、对甲苯磺酸和三氟乙酸；和极性溶剂选自水、乙二醇、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、γ－丁内酯(BLO)、环己基吡咯烷酮(CHP)、环丁砜、1，4－丁二醇和丁基卡必醇。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 灰化 晶片 改进 清洁剂 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体灰化后半导体制造的半导体晶片清洁剂，其包括至少一种有机螯合剂和至少一种极性溶剂，其中螯合剂和极性溶剂的量足以从半导体晶片上有效地除去残余物。
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