[发明专利]磁阻性内存之电流源及电流汲极排列无效
| 申请号： | 02807174.3 | 申请日： | 2002-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1535467A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | S·拉姆梅斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁阻性随机存取内存(MRAM)(400)，其在内存数组(411)内之所有内存胞元系具有大体上相同长度及电阻之写入路径。电流/电压控制(CVC)电路系相对内存数组(411)地放置，藉以使内存数组(411)之所有内存胞元中、沿着磁阻性随机存取内存(MRAM)(400)之导电线均具有大体上相同之写入路径长度，进而确保沿着写入路径的电阻系大体上相等的，且因此，电流/电压控制(CVC)电路提供写入内存数组(411)之内存胞元之写入电流数量系大体上相等的。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 内存 电流 排列 | ||
【主权项】：
1.一种内存装置，包括：复数内存胞元，其排列为一数组；复数第一导电线，其放置于该等内存胞元下方，该等第一导电线系依照一第一方向放置；复数第二导电线，其放置于该等内存胞元上方，该等第二导电线系依照一第二方向放置，该等内存胞元系放置于该等第一导电线及该等第二导电线之交叉点；以及复数电流/电压控制(CVC)电路，具有一电流源及一电流汲极，该等电流/电压控制(CVC)电路系耦接于该等第一导电线及该等第二导电线之各个端点，其中，该等内存胞元系可以经由该等电流/电压控制(CVC)电路之一施加一电流至该等第一及第二导电线之相对端点之一电流/电压控制(CVC)电路而进行存取，其中，该等电流/电压控制(CVC)电路系进行排列，藉以使该等第一及第二导电线在各个电流源及电流汲极间之长度大体上等于各个存取之内存胞元。
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