[发明专利]表面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 02805019.3 | 申请日： | 2002-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1491468A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 马库斯－克里斯琴·阿曼;马库斯·奥特西弗 | 申请（专利权）人： | 维特拉斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 侯宇;陶凤波 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面发射型半导体激光器。为了提供一种能在正常环境温度下工作并具有稳定长期特性的半导体激光器，该半导体激光器包括一具有pn过渡段的有源区、一在有源区n侧上的第一n型掺杂半导体层、一在有源区p侧上并构成至有源区p侧上的第二n型掺杂半导体层的传导过渡段的结构隧道触点，一涂敷在第二n型掺杂半导体层上的结构介质镜面，一在没有涂敷介质镜面的地方形成与第二n型掺杂半导体层的接触的接触层，和一位于接触层与第二n型掺杂半导体层之间的扩散势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种表面发射型半导体激光器，包括一具有pn过渡段(pn结)的有源区，具有一在该有源区n侧上的第一n型掺杂半导体层，具有一在该有源区p侧上的结构隧道触点(隧道结)，其形成至该有源区p侧上的第二n型掺杂半导体层的传导过渡段(传导结)，具有一结构介质镜面，其涂敷在该第二n型掺杂半导体层上，具有一接触层，在没有涂敷该介质镜面的点处，其形成与该第二n型掺杂半导体层的接触，具有一位于该接触层与该第二n型掺杂半导体层之间的扩散势垒。
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