[发明专利]薄膜制造用剥离膜及其制造方法及电子部件用薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 02804825.3 申请日: 2002-02-13
公开(公告)号: CN1491148A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 饭田修治;宫原裕之;川崎薰 申请(专利权)人: TDK股份有限公司
主分类号: B28B1/30 分类号: B28B1/30;B32B27/36;C08J7/04;B05D7/04
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及的薄膜制造用剥离膜的制造方法是,在基底膜(2)上涂布含有机硅树脂的涂布液(3a)之后,使该涂布液(3a)干燥,在上述基底膜上形成上述有机硅树脂的剥离层(3),然后将该已形成了剥离层(3)的基底膜(2)卷绕成卷筒状,制得用于制造电子部件用薄膜的剥离膜(1)的方法,基底膜(2)的厚度在5μm以上30μm不到时,一边对上述已形成了剥离层的基底膜(2)施加对应于每100mm的宽度3牛顿以上17牛顿以下的张力,一边卷绕该基底膜(2),这样能够防止卷绕散开及基底膜(2)的拉长,同时能够确保剥离层(3)的表面的平整性。
搜索关键词: 薄膜 制造 剥离 及其 方法 电子 部件
【主权项】:
1.薄膜制造用剥离膜的制造方法,它是在基底膜上涂布含有机硅树脂的涂布液之后,使该涂布液干燥,在上述基底膜上形成上述有机硅树脂的剥离层,将该已形成了剥离层的基底膜卷绕成卷筒状,制得用于制造电子部件用薄膜的剥离膜的方法,其特征在于,上述基底膜的厚度在5μm以上30μm不到时,一边对上述已形成了剥离层的基底膜施加对应于每100mm的宽度的3牛顿以上17牛顿以下的张力,一边卷绕该基底膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK股份有限公司,未经TDK股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02804825.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top