[发明专利]制造光学器件的方法以及相关的改进无效

专利信息
申请号: 02804022.8 申请日: 2002-01-23
公开(公告)号: CN1488163A 公开(公告)日: 2004-04-07
发明(设计)人: 克雷格·J·汉密尔顿;奥利克·P·科沃尔斯基;约翰·H·马什;斯图尔特·D·麦克杜格尔 申请(专利权)人: 格拉斯哥大学理事会
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L33/00;H01S5/34;H01S5/026
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 英国格*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 发明公开了一种制造光学器件(例如,半导体光电器件,如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关等)的方法。本发明还公开了一种包括此类器件的光电集成电路(OEIC)和光子集成电路(PIC)。根据本发明,提供一种制造光学器件(40)的方法,该器件(40)是从一包括量子阱混杂(QWI)结构(30)的器件基体部分(15)制得的,该方法包括步骤:在该器件基体部分(5)上沉积介电层(51)以前,等离子体蚀刻该器件基体部分(5)的表面的至少一部分,从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分(5)的与该介电层(51)邻近的部分(53)中。该结构缺陷主要包括“点”缺陷。
搜索关键词: 制造 光学 器件 方法 以及 相关 改进
【主权项】:
1.一种制造光学器件的方法,该器件是从一包括量子阱混杂(QWI)结构的器件基体部分制得的,该方法包括步骤:在该器件基体部分的表面的至少一部分上进行等离子体蚀刻,从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分与该表面邻近的部分;以及接着用一介电层覆盖该蚀刻过的表面。
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