[发明专利]制造光学器件的方法以及相关的改进无效
申请号: | 02804022.8 | 申请日: | 2002-01-23 |
公开(公告)号: | CN1488163A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 克雷格·J·汉密尔顿;奥利克·P·科沃尔斯基;约翰·H·马什;斯图尔特·D·麦克杜格尔 | 申请(专利权)人: | 格拉斯哥大学理事会 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L33/00;H01S5/34;H01S5/026 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 英国格*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明公开了一种制造光学器件(例如,半导体光电器件,如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关等)的方法。本发明还公开了一种包括此类器件的光电集成电路(OEIC)和光子集成电路(PIC)。根据本发明,提供一种制造光学器件(40)的方法,该器件(40)是从一包括量子阱混杂(QWI)结构(30)的器件基体部分(15)制得的,该方法包括步骤:在该器件基体部分(5)上沉积介电层(51)以前,等离子体蚀刻该器件基体部分(5)的表面的至少一部分,从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分(5)的与该介电层(51)邻近的部分(53)中。该结构缺陷主要包括“点”缺陷。 | ||
搜索关键词: | 制造 光学 器件 方法 以及 相关 改进 | ||
【主权项】:
1.一种制造光学器件的方法,该器件是从一包括量子阱混杂(QWI)结构的器件基体部分制得的,该方法包括步骤:在该器件基体部分的表面的至少一部分上进行等离子体蚀刻,从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分与该表面邻近的部分;以及接着用一介电层覆盖该蚀刻过的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造