[发明专利]铝合金薄膜和具有该薄膜的配线电路以及形成此薄膜的靶材无效
| 申请号： | 02803266.7 | 申请日： | 2002-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1479802A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 久保田高史;渡边弘 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;C22C21/00;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合金薄膜的特征是，含有0.5～7.0at％的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0.1～3.0at％的碳，余分为铝。更好的是本发明的铝合金薄膜中还含有0.5～2.0at％的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 薄膜 具有 电路 以及 形成 | ||
【主权项】：
1.铝合金薄膜，所述薄膜是含碳铝合金薄膜，其特征在于，含有0.5～7.0at％的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0.1～3.0at％的碳，余分为铝。
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