[发明专利]固体电解电容器的制造方法无效
| 申请号： | 02802420.6 | 申请日： | 2002-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1465078A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 三木勝政;御堂勇治;藤井逹雄;中野慎;木村涼 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/04;H01G9/012 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本国大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后，形成第一通孔24，然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后，除去抗蚀剂膜23，将铝箔20粗化之后形成电介质层27，在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36，在该第二通孔内形成通孔电极28之后，在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29，再形成集电体层30，然后在形成开口部分37之后，在该部分形成第一连接端31，在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 电解电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体电解电容器的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：在铝箔的单面形成抗蚀剂膜的步骤、在所述铝箔的规定位置形成第一通孔的步骤、形成绝缘膜将所述铝箔的与所述抗蚀剂膜形成面的反面及所述第一通孔内覆盖的步骤、将除去了所述抗蚀剂膜的部分的所述铝箔进行粗化的步骤、在粗化的所述铝箔表面形成电介质层的步骤、在覆盖所述第一通孔的所述绝缘膜内形成第二通孔的步骤、在所述第二通孔内形成通孔电极的步骤之后，在所述电介质层表面形成固体电解质层的步骤、在所述固体电解质层的表面形成集电体层的步骤、在所述绝缘膜形成开口部分的步骤、在所述开口部分形成第一连接端的步骤、以及在所述通孔电极的露出面形成第二连接端的步骤。
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