[发明专利]磁存储装置及其制造方法无效
申请号: | 02161137.8 | 申请日: | 2002-11-29 |
公开(公告)号: | CN1442860A | 公开(公告)日: | 2003-09-17 |
发明(设计)人: | 浅尾吉昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;H01L43/00;H01L27/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 磁存储装置具备:第一存储器部和在第一方向与第一存储器部相邻并共用沿第一方向延伸的第一布线的第二存储器部,分别具有沿第二方向延伸的多个第二布线和第三布线、多个磁阻效应元件彼此串联连接的第一和第二存储元件部以及连接在第一和第二存储元件部一端上的第一和第二开关元件;第一和第二存储元件部分别在第一和第二布线之间以及第一和第三布线之间与上述布线间隔配置磁阻效应元件。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种磁存储装置,具备:第一存储器部,上述第一存储器部具备:沿第一方向延伸的第一布线,沿与上述第一方向不同的第二方向延伸的多个第二布线,多个磁阻效应元件彼此串联连接的第一存储元件部,在上述第一布线与上述第二布线的各交点中的上述第一布线及上述第二布线之间分别与上述第一布线及上述第二布线间隔配置上述磁阻效应元件,和连接在上述第一存储元件部一端上的第一开关元件;和第二存储器部,在上述第一方向上与上述第一存储器部相邻,并与上述第一存储器部共用上述第一布线,上述第二存储器部具备:上述第一布线,沿上述第二方向延伸的多个第三布线,上述磁阻效应元件彼此串联连接的第二存储元件部,在上述第一布线与上述第三布线的各交点中的上述第一布线及上述第三布线之间分别与上述第一布线及上述第三布线间隔配置上述磁阻效应元件,和连接在上述第二存储元件部一端上的第二开关元件。
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