[发明专利]半导体器件中晶体管的形成方法

摘要

一种用于形成半导体器件中的晶体管的方法，包括步骤：形成具有第一和第二导电类型的通道层，进行高温热处理以形成稳定通道层，并通过生长未掺杂硅外延层形成一具有超陡逆分布δ－掺杂的外延通道，利用氢处理已获得的结构的整个表面，通过在稳定通道层上生长未掺杂硅外延层形成一外延通道结构，在外延通道结构上形成栅极绝缘膜和栅极电极，再氧化该栅极绝缘膜以修复该栅极绝缘膜的损伤部分；以及形成源/漏区并进行一低温热处理。

主权项

1.一种用于形成半导体器件中的晶体管的方法，该方法包括步骤：(a)利用一器件绝缘膜图案在半导体衬底上定义一第一和一第二区域；(b)在该第一区域内离子注入第一导电类型的杂质以形成一第一通道层；(c)利用曝光掩模，在该第二区域内离子注入第二导电类型的杂质以形成一第二通道层；(d)进行高温热处理以将该第一和第二通道层转变为第一和第二稳定通道层；(e)在步骤(d)获得的结构上进行氢处理工艺；(f)在该第一和第二稳定通道层上生长未掺杂硅外延层，由此产生具有超陡逆分布结构的一第一和一第二δ-掺杂外延通道；(g)在该第一和第二δ-掺杂外延通道上形成一栅极绝缘膜和一栅极电极；(h)再氧化该栅极绝缘膜以修复该栅极绝缘膜的被损伤的部分；以及(i)形成一源/漏区并进行低温热处理。