[发明专利]在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 02159872.X 申请日: 2002-12-24
公开(公告)号: CN1424152A 公开(公告)日: 2003-06-18
发明(设计)人: 杨生荣;王金清;陈淼;徐洮;薛群基 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: B05C3/02 分类号: B05C3/02;B05D1/18
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 代理人: 方晓佳
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的制备方法。本发明以易吸附于单晶硅片或载玻片表面的含硫有机硅烷为原料,首先在单晶硅或载玻片表面制备含硫有机硅烷自组装单层薄膜,然后将薄膜表面的含硫基团氧化为磺酸基,在水溶液中利用磺酸基对硫酸锆纳米粒子的化学吸附作用,在自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜。其特点是:原料廉价、低毒,成本低;薄膜致密、均匀,表面粗糙度低;可以大面积成膜,不受工艺形状限制;薄膜抗磨减摩以及抗粘着性能好;制备工艺简单。摩擦、磨损试验结果表明:本发明所涉及的氧化锆陶瓷薄膜与基片具有很好的结合性能,并且具有良好的减摩、抗磨性能,有望成为解决微型机械中材料的保护和润滑问题的有效手段。
搜索关键词: 功能 有机 硅烷 组装 单层 薄膜 表面 制备 氧化锆 陶瓷 方法
【主权项】:
1.一种在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法,其特征在于该方法依次包括A和B两个步骤:A.磺酸化有机硅烷自组装单层薄膜的制备:(1)以处理过的单晶硅片或载玻片作基底,选取易吸附于单晶硅片或载玻片表面的有机硅烷配制成溶液,将基片浸入有机硅烷溶液中反应,得到具有一定有序性的有机硅烷自组装单层薄膜;(2)将制备了有机硅烷自组装单层薄膜的基片浸入氧化剂溶液中,对有机分子中的端基官能团进行氧化,即得到具有一定有序性的磺酸化有机硅烷自组装单层薄膜。B.氧化锆润滑薄膜在磺酸化有机硅烷自组装单层薄膜上的制备:(1)配制硫酸锆的盐酸水溶液,使其PH值在1-2之间;(2)将制备了磺酸化有机硅烷自组装单层薄膜的基片浸入制得的硫酸锆盐酸水溶液中,在70°反应;(3)将基片加热至500℃并保温,自然冷却至室温,获得氧化锆陶瓷薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所,未经中国科学院兰州化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02159872.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top