[发明专利]一种功率型多晶硅发射极晶体管有效
| 申请号： | 02159740.5 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1421933A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京北新智诚专利代理有限公司 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率型多晶硅发射极晶体管。在上层为N－型高电阻率层，下层为N+型低电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度发射区，发射区的上面连接掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有基区，基区中间有掺杂浓度比基区高的浓基区，浓基区与基极金属层相连，硅衬底片的下层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，浓基区的深度大于基区。本功率型多晶硅发射极晶体管具有抗雪崩能力强，可靠性高的突出特点，特别适合中等开关速度而瞬间功率很高的应用场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 多晶 发射极 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率型多晶硅发射极晶体管，在上层为N-型高电阻率层，下层为N+型低电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度发射区，所述发射区的上面连接掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有P型基区，所述P型基区中间有掺杂浓度比所述P型基区高的P+型浓基区，所述P+型浓基区与基极金属层相连，硅衬底片的下层为集电极，所述集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述P+型浓基区的深度小于所述P型基区；所述P+型浓基区的底部和侧面与所述P型基区相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李思敏，未经李思敏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02159740.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
