[发明专利]硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件无效
| 申请号： | 02158423.0 | 申请日： | 2002-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1441276A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 森本浩司;佐藤功纪;森本政仁;鸟海和宏;土屋太一 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00;G02B6/136;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 部分地除去硅基片的两面，形成挡板部、梳齿部、弹簧部等的结构体的硅部件制造方法，与在硅基片的上面形成的结构体对置的下表面以外的位置用保护膜加以掩膜，把下面露出区域的硅进行蚀刻，残留的厚度用于在上面侧形成结构体，在用于形成结构体的上表面用保护膜加以掩膜，上面露出区域的硅采用深度各向异性的反应性离子蚀刻法进行蚀刻直至贯穿，以形成结构体，在下面粘贴绝缘基片，分割成各个硅部件。 | ||
| 搜索关键词： | 部件 制造 方法 使用 光学 | ||
【主权项】：
1.一种硅部件的制造方法，部分地除去硅基片的两面，以形成结构体硅部件的制造方法，其特征在于，包括：第1掩膜工序，与在硅基片的一个侧面形成的结构体对置的所述硅基片另一面的表面以外，采用保护膜进行掩膜；第1蚀刻工序，对所述另一面露出区域的硅进行蚀刻，残留的厚度用于在所述一个侧面形成结构体；第2掩膜工序，在用于形成所述结构体的所述一个面的表面上，采用保护膜进行掩膜；第2蚀刻工序，把所述一个面的露出区域的硅，用深度各向异性的反应性离子蚀刻法进行蚀刻至贯穿、以形成结构体。
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