[发明专利]前清除残留聚合物的方法无效
| 申请号： | 02156384.5 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1468977A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴燕萍;何岳风;孙国维;洪任谷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;杨梧 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种前清除残留聚合物的方法。此方法以含有氟化碳的反应气体进行蚀刻工艺之后，通入混合特定气体的混合气体，利用此混合气体所产生的等离子体进行前清除残留聚合物工艺，其中混合特定气体可选择例如氧气与氮气、氢气与氩气、氩气与氮气或氧气与氩气的混合气体。由于混合气体所产生的等离子体可软化残留聚合物、燃烧残留聚合物，甚至去除硬化的残留聚合物，所以在后续的清除工艺可以完全去除此蚀刻残留聚合物并且可以减少工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 清除 残留 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种前清除残留聚合物的方法，适于清除一蚀刻工艺后所残留的聚合物，其中该蚀刻工艺是使用含有氟化碳的气体作为蚀刻反应气体，其步骤包括通入混合特定气体之一混合气体，利用该混合气体所产生的等离子体进行一前清除残留聚合物工艺。
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