[发明专利]纳米碳材料的制备方法无效
申请号: | 02154271.6 | 申请日: | 2002-10-04 |
公开(公告)号: | CN1429767A | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 川上总一郎;山本智也;佐野瞳;谷笃 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;D01F9/127 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈昕 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 纳米碳材料的制备方法,其特征是所述方法包括在含有过渡金属元素的催化剂存在下,在350-800℃温度和3-50MPa压力下,将含有芳族化合物的原材料与超临界流体或亚临界流体接触的步骤(a)。所述超临界流体或所述亚临界流体由选自作为所述原材料的芳族化合物、所述芳族化合物用溶剂、所述催化剂用溶剂、水、一氧化二氮和氨的一种或多种材料形成。 | ||
搜索关键词: | 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、纳米碳材料的制备方法,其特征在于所述方法包括在含有过渡金属元素的催化剂存在下,在350-800℃温度和3-50MPa压力下,将含有芳族化合物的原材料与超临界流体或亚临界流体接触的步骤(a)。
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