[发明专利]除去有机薄膜的方法和设备有效
| 申请号: | 02147123.1 | 申请日: | 2002-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN1414610A | 公开(公告)日: | 2003-04-30 |
| 发明(设计)人: | 村冈久志;村冈里江子;佐藤飞鸟;远藤满 | 申请(专利权)人: | UMS有限公司;皮瑞克斯股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;G03F7/26;B08B3/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲,郭广迅 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供了从基底表面上除去诸如阻焊膜之类的有机膜的方法和设备。此方法和设备,即使在高温下也是非常安全的,并且使用了可以循环并重新使用的处理液。将一般包括碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯或这两种化合物的混合液体的,特别是含有溶解臭氧的处理液与带有有机膜的基底接触,就除去了有机膜。再有,本发明的设备包括(A)将处理液送到处理区的处理液供料装置;(B)在所述处理区中,使处理液与基底表面的有机膜接触的膜接触装置;(C)用于把从处理区排放出来的处理液进行循环和把循环的处理液经过一个或多个暂时的储存装置返回到处理区的液体循环装置;以及(D)在处理区和/或在暂时储存装置中,用于使含臭氧的气体与从处理液进行接触的臭氧溶解装置。 | ||
| 搜索关键词: | 除去 有机 薄膜 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.除去基底表面的有机膜的方法,该方法包括:将包括碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯或两者混合物的处理液与所述基底接触,以除去所述有机膜,借此使组成所述有机膜的物质迁移到所述处理液中,用臭氧使所述处理液中的所述物质分解为低分子量物质,借此将所述臭氧处理的处理液再生为处理液,以及将如此再生的处理液循环处理另一个基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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