[发明专利]气体流量计及其制造方法有效
申请号: | 02147069.3 | 申请日: | 2002-10-29 |
公开(公告)号: | CN1447098A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 山田雅通;堀江润一;渡边泉;中田圭一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;株式会社日立汽车工程 |
主分类号: | G01F1/68 | 分类号: | G01F1/68;G01F1/69 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种能够降低时效变化的气体流量计,包括形成的含有腔室的半导体基材和在半导体基材腔室以上通过绝缘膜形成的热元件。该热元件是在高浓度下杂质掺杂的硅(Si)半导体薄膜。在硅(Si)半导体薄膜以上和以下形成作为屏蔽层的化学计量稳定的氮化硅(Si3N4)薄膜,它在热元件的生热温度范围中较少渗透和较少吸收氢气。 | ||
搜索关键词: | 气体 流量计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测量待测量气体的流量的气体流量计,包括:形成的含有腔室的半导体基材;和通过绝缘膜在半导体基材腔室以上形成的至少热元件;其中热元件是在高浓度下采用杂质掺杂施加的硅(Si)半导体薄膜,和气体流量计含有屏蔽层,它作为硅(Si)半导体薄膜上层和下层布置和在区域中形成以至少覆盖腔室,在热元件的生热温度范围中,屏蔽层较少渗透和吸收氢气。
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