[发明专利]梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法无效
| 申请号： | 02143360.7 | 申请日： | 2002-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1485599A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈德勇;崔大付;王利 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法，特点是在单一硅片正面制作谐振梁在背面制作压力敏感膜，谐振梁由两个半岛结构支撑，通过多孔硅牺牲层技术实现，材料选用低应力厚氮化硅。这样不仅简化微谐振式压力传感器的制作工艺，而且提高了压力灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一体 结构 谐振 压力传感器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片，其特征在于，其中包括：一硅片，硅片上制作有一层氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜和硅片上开有一凹槽，该凹槽概似一工字形，形成两矩形半岛，该两矩形半岛上的氮化硅连通为谐振梁；该硅片上开的凹槽周围为矩形框架，该凹槽的底部为矩形压力膜。
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