[发明专利]光生伏打元件和光生伏打器件有效
| 申请号： | 02143307.0 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1411078A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 丸山荣治;马场俊明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 元件 器件 | ||
【主权项】：
1、一种光生伏打元件，包括：包含非晶半导体或微晶半导体的半导体层；和由掺杂杂质的氧化铟膜构成的透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述半导体层的光入射侧上，其中，所述透明导电膜的(222)晶面取向度不小于1.0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
