[发明专利]保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 02143228.7 | 申请日： | 2002-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1433051A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 川井健治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抑制含碱性物质的底膜与其表面形成的化学放大型保护膜之间的界面上所产生的酸失活现象，形成高精度的保护膜图案，使含碱性物质的底膜也可达到同样的精度。首先采用表面改质处理工序，它是将含碱性物质的底膜表面暴露于由含碳气体的气体所组成的等离子体中。其次是采用在底膜上涂敷化学放大型保护膜的工序。最后是在化学放大型保护膜上进行曝光，并进行显影处理、形成图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 图案 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种保护膜图案形成方法，它包括下列各项工序：表面处理工序，把含碱性物质的底膜表面暴露于使用含碳气体的等离子体中来进行表面处理；化学放大型保护膜的形成工序，这种保护膜是在经过表面处理的所述底膜上形成的；使所述化学放大型保护膜形成一定图案的工序，该工序是在所述化学放大型保护膜上进行曝光和显影处理，使其形成一定图案的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02143228.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
