[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法提供已形成一层栅极介电层的基底。于此基底上形成一层材质层后，图案化此材质层，且经图案化的材质层覆盖住预定形成埋入式扩散区的区域。然后，利用实时蒸汽产生制作工艺或快速热回火制作工艺使经图案化的材质层转变成经图案化的氧化硅层。接着，于基底上形成暴露经图案化的氧化硅层的一层图案化光阻层，并以图案化光阻层为罩幕，进行掺质植入制作工艺以于基底中形成埋入式扩散区。之后，移除图案化光阻层，并于基底上形成字线。

主权项

1、一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：该方法包括：提供已形成场氧化层的一基底；于该基底上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上形成一材质层；图案化该材质层以形成一材质层条状物，且该材质层条状物覆盖住预定形成一埋入式扩散区的区域；使该材质层条状物转变成一氧化硅条状物；于该基底上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层暴露该氧化硅条状物；以该图案化光阻层为罩幕，进行掺质植入制作工艺以于该基底中形成该埋入式扩散区；移除该图案化光阻层；于该基底上形成一字线。