[发明专利]光电装置无效
| 申请号： | 02142586.8 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1402361A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 保野笃司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/075 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个p/n型接合的发电层的光电元件，上述发电层的p/n型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值，而且该氮浓度为1×1018原子/厘米3～1×1020原子/厘米3。这种光电元件的光电转换效率高且可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 | ||
【主权项】：
1.光电元件，是具有由硅基非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件彼此p/n型接合并层压得到的光电元件，特征在于，在上述p/n型接合的接合界面上，氮浓度具有最大峰值，而且该峰值氮浓度为1×1018原子/厘米3～1×1020原子/厘米3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02142586.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：产生动态聚焦信号的装置
- 下一篇：具有浮置栅的半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
