[发明专利]不用基准单元进行数据读出的薄膜磁性体存储器有效
| 申请号： | 02142400.4 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1426066A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在数据读出时，数据线接受来自数据读出电流供给电路的数据读出电流的供给，与选择存储单元电结合。开关电路使第1至第3节点中逐个轮流与数据线连接。根据分别由第1至第3电压保持电容器保持的第1至第3节点的电压间的比较，生成表示选择存储单元的存储数据的读出数据。借助于开关电路，与选择存储单元的存储数据相应的数据线电压被传递至第1节点，选择存储单元存储“1”数据时的数据线电压被传递至第2节点，选择存储单元存储“0”数据时的数据线电压被传递至第3节点。 | ||
| 搜索关键词： | 不用 基准 单元 进行 数据 读出 薄膜 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于，包括：各自具有与磁化方向相应的电阻值的多个存储单元，各上述存储单元被写入具有第1和第2电平的某一电平的存储数据，在与上述存储数据相应的方向磁化；在数据读出工作时，具有与上述多个存储单元中的被选择为数据读出对象的选择存储单元电结合的期间的数据线；为了在上述数据线上产生与上述选择存储单元的电阻相应的电压，预先向数据线提供数据读出电流的读出电流供给电路；根据上述选择存储单元具有与上述数据读出工作前相同的磁化方向的第1状态中的与上述选择存储单元电耦合的数据线电压和规定的磁场对上述选择存储单元作用以后的第2状态中的与上述选择存储单元电耦合的数据线电压，生成相应于上述选择存储单元的存储数据的读出数据的数据读出电路。
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