[发明专利]研磨垫片恢复器的结构及其应用无效
申请号: | 02140921.8 | 申请日: | 2002-07-10 |
公开(公告)号: | CN1402313A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 许嘉麟;蔡腾群;胡绍中;陈俊盛 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯,肖鹂 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明还提供一种研磨垫片恢复器的结构及其应用,其中结构包括用来供应高压水流的一高压水输入管、连接在高压水输入管末端的超音波振荡器、与超音波振荡器连接的一储水槽,以及位于该储水槽上的一水刀射出构造。其中,超音波振荡器用来供应能量给高压水流,且水刀射出构造用来射出高压水流,由此形成一水刀以清洁研磨垫片。在使用此研磨垫片恢复器清洁一研磨垫片时,使研磨垫片恢复器与研磨垫片作一相对运动,使研磨垫片恢复器制造的水刀得以扫过研磨垫片全区。 | ||
搜索关键词: | 研磨 垫片 恢复 结构 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种研磨垫片恢复器的结构,适用于清洁一研磨垫片,该结构包括:一高压水输入管,其用来输入一高压水流;一超音波振荡器,其连接在该高压水输入管末端,该高压水流系流经该超音波振荡器,并由该超音波振荡器供给能量;一储水槽,其与该超音波振荡器连接,该储水槽用来储存流经该超音波振荡器的该高压水流;以及一水刀射出构造,其系位在该储水槽上,且系用来射出该高压水流而成为一水刀,该水刀系为用来清洁该研磨垫片者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02140921.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:环境服务系统以及环境服务事业
- 下一篇:化学机械研磨的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造