[发明专利]形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法有效
| 申请号： | 02140775.4 | 申请日： | 2002-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1471139A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张国华;黄文信 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法，其是首先提供一基底，接着在基底上形成一栅极结构，其中栅极结构的顶部形成有一顶盖层。之后在栅极结构的侧壁形成一间隙壁，并且利用顶盖层以及间隙壁为一蚀刻罩幕，在间隙壁两侧的基底中形成一开口。接着在开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 凹陷 式源极 漏极接面 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法，其特征在于：包括：提供一基底；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构的顶部形成有一顶盖层；在该栅极结构的侧壁形成一间隙壁；以该顶盖层以及该间隙壁为一蚀刻罩幕，在该间隙壁两侧的该基底中形成一开口；在该开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/漏极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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