[发明专利]预烧测试静态随机存取存储器的方法及装置无效
申请号: | 02140162.4 | 申请日: | 2002-07-01 |
公开(公告)号: | CN1466183A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 陈瑞隆;黄世煌 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种预烧测试一静态随机存取存储器的方法及装置;该静态随机存取存储器包含有:复数条字线、复数条第一位元线、复数条第二位元线,以及复数个存储器单元;每一存储器单元电连接于一对应的字线、一对应的第一位元线、一对应的第二位元线以及一电源;其中该电源会施加一工作电压于该存储器单元,以使该存储器单元得以运作;当该装置测试该随机存取存储器时,该装置会依据该字线的电压以及该第一及第二位元线之间的电压差来调整该工作电压;本发明的测试装置可同时对较多的存储器单元进行测试,并可因此有效地缩短测试随机存取存储器所需花费的时间。 | ||
搜索关键词: | 测试 静态 随机存取存储器 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种预烧测试静态随机存取存储器的方法,该静态随机存取存储器包含有:复数条字线;复数条第一位元线;复数条第二位元线;以及复数个存储器单元,用来储存资料,每一存储器单元电连接于一对应的字线、一对应的第一位元线、一对应的第二位元线以及一电源,该电源可施加一工作电压于该存储器单元,以使该存储器单元得以运作;其特征是:该方法包含下面步骤:从该复数个存储器单元中选择一预定数目的存储器单元进行测试;使所选择的存储器单元其所电连接的字线的电压高于一第一电压值;使所选择的存储器单元其所电连接的第一位元线及第二位元线之间的电压差大于一第二电压值;以及当所选择的存储器单元其所电连接的字线的电压高于该第一电压值以及所选择的存储器单元其所电连接的第一位元线及第二位元线之间的电压差大于该第二电压值时,使该工作电压从一第三电压值提升至一第四电压值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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