[发明专利]用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法无效
| 申请号： | 02137592.5 | 申请日： | 2002-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1403372A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 闻瑞梅;戴自忠;梁骏吾;郭钟光 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人： | 陈树德 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5－0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)进行精炼纯化，其纯度达到9－10个9；同时对氢气也进行纯化到5－6个9；然后，将上述物料按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，喷入氢还原炉，其还原温度控制在1145－1155℃，炉身、炉底温度保持150℃；最后，在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。本发明充分利用生产过程产生的SiCl4、HCl等，达到既保证高质量、高产率，又降低原材料工业硅、氢气及氯气的消耗，从而降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用三氯氢硅 氯化 混合 生产 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，其特征在于：将生产过程产生及回收后精练提纯的SiCl4与SiHCl3一起进入还原炉，按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，并将还原温度提高到1145℃-1155℃，炉身、炉底温度保持150℃，即可获得快速的硅沉积速率，即在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。
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